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대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.8 No.4
발행연도
2008.12
수록면
311 - 317 (7page)

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The measurement of dark σ<SUB>D</SUB>, gamma-induced σ<SUB>γ</SUB> conductivities and the expected conductivity modulation Δσ in silicon wafers/samples is studied for developing a new technique for carrier lifetime evaluation. In this paper a simple method is introduced to find the carrier lifetime variations with the measured conductivity and conductivity modulation under dark and gamma irradiation conditions. It will be concluded that this simple method enables us to give an improved wafer evaluation, processing and quality control in the field of photovoltaic materials and other electronic devices.
#Silicon wafers #photovoltaic devices #conductivity modulation measurement #minority carrier lifetime #semiconductor materials quality

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. METHOD OF ANALYSIS
Ⅲ. EXPERIMENTAL PROCEDURE AND RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

참고문헌 (31)

참고문헌 신청
1. [기타자료] - M. M., Moslehi / 1991 / Semiconductor substrate minority carrier lifetime measurements, United States Patent No. 5,049,816, USA google schola 2. [학위논문] - A. W., Stephens / 1996 / Application of photoconductance decay measurements to silicon solar cell characterisation / 석사 / The University of New South Wales google schola 3. [인터넷자원] - B. Carsten / / The bipolar transistor is dead, longlive the bipolar transistor google schola 4. [인터넷자원] - X. Y. Zhang, K. Banerjee, A. Ameraekera, V. Gupta, Z. Yu, and R. W. Dutton / / Process and layout development substrate resistance modeling for deep sub-micron ESD protection devices google schola 5. [인터넷자원] - A. R. Brwon / / Calibration of the numerical simulations in the design of high temperature IGBT’s google schola

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