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저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 2004년 ICPE논문집
발행연도
2004.10
수록면
611 - 614 (4page)

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A thyristor with a VRRM of 1,600V was made with 200μm of N-base width from 60Ω·cm NTD-Si wafer and the proton irradiation was employed for improving its switching performance. This study showed that 4.7MeV-proton irradiation gives a narrow distribution of induced defects in the middle of N-drift region with its width of 10μm, which resulted in a superior trade-off relation between its static and dynamic characteristics. It was found that 3.7MeV and 5.9MeV protons remarkably increased the forward leakage current IDRM and the reverse leakage current IRRM, respectively. The increased IDRM and IRRM are attributed to the induced defects in the depletion layers of thyristor junctions J2 and J1, respectively.

목차

1. Introduction

2. Experiment

3. Results and Discussions

3. Conclusion

Acknowledgement

References

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