메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제11호
발행연도
2002.1
수록면
0 - 0 (1page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색

이 논문의 연구 히스토리 (7)

2003

MEMS용 MLCA와 Si기판의 양극접합 특성
정귀상 ,  김재민 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2003.01 학술대회자료
파이렉스 #7740 유리박막을 이용한 MEMS용 MLCA와 Si기판의 양극접합 특성
정귀상 ,  김재민 ,  윤석진 센서학회지 2003.01 학술저널

2002

Si(100) 기판 위에 성장된 3C-SiC 박막의 물리적 특성
정귀상 ,  정연식 ,  Shigehi 외 1명 전기전자재료학회논문지 2002.01 학술저널

1995

직접접합기술을 이용한 고온용 Si 홀 센서의 제작
정귀상 ,  김용진 ,  신훈규 외 1명 대한전기학회 학술대회 논문집 1995.07 학술대회자료

1994

Si기판 직접접합기술을 이용한 박막 SOI구조의 형성과 고감도 Si 홀 소자에의 응용 ( Formation of Thin Film SOI Structures and Its Application to a High-Sensitivity Si Hall Device Using Si-wafer Direct Bonding Technology )
정귀상 대한전자공학회 학술대회 1994.01 학술대회자료

1993

박막 SOI의 결정질 및 전기적 특성
정귀상 대한전자공학회 학술대회 1993.11 학술대회자료
박막 SOI의 결정질 및 전기적 특성 ( Crystalline and Electrical Properties of a Thin-Film SOI )
정귀상 대한전자공학회 학술대회 1993.11 학술대회자료

초록· 키워드

오류제보하기
Single crystal 3C-SiC (cubic silicon carbide) thin-films were deposited on Si(100) wafer up to the thickness of 4.3 ㎛ by APCVD (atmospheric pressure chemical vapor deposition) method using HMDS (hexamethyildisilane; {CH3}6 Si2) at 1350℃. The HMDS flow rate was 0.5 sccm and the carrier gas flow rate was 2.5 slm. The HMDS flow rate was important to get a mirror-like crystal surface. The growth rate of the 3C-SiC film was 4.3 ㎛/hr. The 3C-SiC epitaxial film grown on Si(100) wafer was characterized by XRD (X-ray diffraction), AFM (atomic force microscopy), RHEED (reflection high energy electron diffraction), XPS (X-ray photoelecron spectroscopy), and Raman scattering, respectively. Two distinct phonon modes of TO (transverse optical) near 796 cm-1 and LO (longitudinal optical) near 974±1 cm-1 of 3C-SiC were observed by Raman scattering measurement. The heteroepitaxially grown film was identified as the single crystal 3C-SiC phase by XRD spectra (2θ=41.5˚).
#3C-SiC #epitaxial films #APCVD #HMDS #XRD #AFM #RHEED #Raman scattering

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (0)

참고문헌 신청
참고문헌이 DBpia에서 서비스 중이라면, [참고문헌 신청]을 통해 등록해보세요

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0