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자료유형
학술저널
저자정보
김광철 (전북대학교 반도체과학기술학과) 박찬일 (전북대학교 반도체과학기술학과) 남기석 (전북대학교 반도체과학기술학과, 전북대학교 화학공학부) 임기영 (전북대학교 반도체과학기술학과, 전북대학교 과학기술학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제10권 제4호
발행연도
2000.1
수록면
276 - 281 (6page)

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Si(111) 표면을 NH$_3$분위기에서 실리콘질화물(SiNx)로 변형시킨 후 탄화규소(silicon carbide, SiC) 박막을 성장하였다. 질화시간이 증가함에 따라 SiC 박막 두께가 감소함을 관찰하였다. 또한 성장변수에 따라 SiC/Si 계면에서 결정결함인 틈새를 없앨 수 있었다. 100nm, 300nm, 500nm의 SiNx/Si 기판 위에 SiC 박막을 성장시켰다. 성장된 SiC 박막들은 모두 [111]면을 따라 성장되었고, SiC 결정들이 원주형 낟알로 성장되었다. SiC/SiNx 계면에서 void를 관찰할 수 없었다. 이러한 실험 결과는 SOI 구조의 산화규소를 SiNx로 대체함으로써 SiC 소자 제작에 응용될 수 있는 방향을 제시하고 있다.
#Silican carbide #SiC) #X-ray diffraction #XRD) #Transmission electron microscopy #TEM) #Voids

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