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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제6호
발행연도
2008.1
수록면
493 - 498 (6page)

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This paper describes the Raman scattering characteristics of polycrystalline (poly) 3C-SiC thin films, in which they were deposited on AlN buffer layer by APCVD using hexamethyldisilane (MHDS) and carrier gases (Ar+H₂). When the Raman spectra of SiC films deposited on the AlN layer of before and after annealing were worked according to growth temperature, D and G bands of graphite were measured. It can be explained that poly 3C-SiC films admixe with nanoparticle graphite and its C/Si rate is higher than (C/Si ≈ 3) that of the conventional SiC, which has no D and G bands related to graphite. From the Raman shifts of 3C-SiC films deposited at 1180 °C on the AlN layer of after annealing, the biaxial stress of poly 3C-SiC films was obtained as 896 MPa.

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