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This paper presents the growth conditions and characteristics of polycrystalline 3C-SiC (silicon carbide) thin films forM/NEMS applications related to harsh environments. The growth of the 3C-SiC thin film on the oxided Si wafers wascaried out by APCVD using HMDS (hexamethyildisilane: Si2(CH3)6) precursor. Each samples were analyzed by XRD(X-ray difraction), FT-IR (fourier transformation infrared spectroscopy), RHEED (reflection high energy electrondifraction), GDS (glow discharge spectrometer), XPS (X-ray photoelectron spectroscopy), SEM (scanning electronmicroscope) and TEM (tunneling electro microscope). Moreover, the electrical properties of the grown 3C-SiC thin filmwere evaluated by Hall effect. From these results, the grown 3C-SiC thin film is very good crystaline quality, surfacelike miror and low defect. Therefore, the 3C-SiC thin film is suitable for extreme environment, Bio and RF M/NEMSapplications in conjunction with Si fabrication technology.
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/ 2000. / “Silicon carbide as a new MEMS technology” 3 : 210 ~ 218
/ 2001. / Monocrystalline silicon carbide nanoelec-tromechanical systems 78 (2) : 165 ~ 167
/ 2003. / “Nanodevice motion at microwave frequencies” 421 : 496 ~ 496
/ 2004. / Single-source chemical vapor deposi- tion of 3C-SiC films in a LPCVD reactor I. Growth structure, and chemical characterization 151 : C210 ~ C214
/ 2006. / “Ohmic contact characteristics of polycrystalline 3C-SiC for high-temperature MEMS application” 15 (6) : 386 ~ 390
/ 2001. / Monocrystalline silicon carbide nanoelec-tromechanical systems 78 (2) : 165 ~ 167
/ 2003. / “Nanodevice motion at microwave frequencies” 421 : 496 ~ 496
/ 2004. / Single-source chemical vapor deposi- tion of 3C-SiC films in a LPCVD reactor I. Growth structure, and chemical characterization 151 : C210 ~ C214
/ 2006. / “Ohmic contact characteristics of polycrystalline 3C-SiC for high-temperature MEMS application” 15 (6) : 386 ~ 390
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