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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 334 - 338 (5page)
이용수
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Poly silicon TFT requires high quality dielectric film; conventional method of growing silicon dioxide needs highly hazardous chemicals such as silane. We have grown high quality dielectric film of silicon dioxide using non-hazardous chemical such as TEOS and ozone as reaction gases by APCVD. The films grown were characterized through C-V curves of MOS structures. Conventional APCVD requires high temperature processing where as in the process of current study, we developed a low temperature process. Interface trap density was substantially decreased in the silicon surface coated with the silicon dioxide film after annealing in nitrogen ambient. The interface with such low trap density could be used for poly silicon TFT fabrication with cheaper cost and potentially less hazards.
목차
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/ 1989. / Dielectric film deposition by atmospheric pressure and low temperature CVD using TEOS : 382 ~
/ 1989. / Low-temperature APCVD oxide using TEOS-OZONE chemistry for multilevel interconnections : 669 ~
/ 1990. / Ozone/organic-source APCVD for conformal doped oxide films (19) : 45 ~
/ 1990. / Silicon dioxide deposition by atmospheric pressure and low-temperature CVD using TEOS and ozone (137) : 2883 ~
/ 1991. / Recrystallization of amorphous silicon films deposited by low-pressure chemical vapour deposition from Si2H6 gas 69 (3) : 1703 ~
/ 1989. / Low-temperature APCVD oxide using TEOS-OZONE chemistry for multilevel interconnections : 669 ~
/ 1990. / Ozone/organic-source APCVD for conformal doped oxide films (19) : 45 ~
/ 1990. / Silicon dioxide deposition by atmospheric pressure and low-temperature CVD using TEOS and ozone (137) : 2883 ~
/ 1991. / Recrystallization of amorphous silicon films deposited by low-pressure chemical vapour deposition from Si2H6 gas 69 (3) : 1703 ~
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