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Hong, Wan-Shick (Dept. of Electronics Engineering, Sejong University) Lee, Sung-Hyun (Dept. of Electronics Engineering, Sejong University) Cho, Chul-Lae (Dept. of Electronics Engineering, Sejong University) Lee, Kyung-Eun (Dept. of Electronics Engineering, Sejong University) Kim, Sae-Bum (Dept. of Electronics Engineering, Sejong University) Kim, Jong-Man (Samsung Advanced Institute of Technology) Kwon, Jang-Yeon (Samsung Advanced Institute of Technology) Noguchi, Takashi (Samsung Advanced Institute of Technology)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
발행연도
2005.1
수록면
785 - 789 (5page)

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Low temperature deposition of silicon and silicon nitride films by catalytic CVD technique was studied for application to thin film transistors on plastic substrates for flexible AMOLEDs. The substrate temperature initially held at room temperature, and was controlled successfully below $150^{\circ}C$ during the entire deposition process. Amorphous silicon films having good adhesion, good surface morphology and sufficiently low content of atomic hydrogen were obtained and could be successfully crystallized using excimer laser without a prior dehydrogenation step. $SiN_x$ films showed a good refractive index, a high deposition rate, a moderate breakdown field and a dielectric constant. The Cat-CVD silicon and silicon nitride films can be good candidates for fabricating thin films transistors on plastic substrates to drive active-matrix organic light emitting display.

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