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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 580 - 585 (6page)
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Silicon dioxide (SiO2) is widely used as a gate dielectric material for thin film transistors (TFT) and semiconductor devices. In this paper, SiO2 films were grown by APCVD(Atmospheric Pressure chemical vapor deposition) at the high temperature. Experimental investigations were carried out as a function of O2 gas flow ratios from 0 to 200 lpm. This article presents the SiO2 gate dielectric studies in terms of deposition rate, refrative index, FT-IR, C-V for the gate dielectric layer of thin film transistor applications. We also study defect passivation technique for improvement interface or surface properties in thin films. Our passivation technique is Forming Gas Annealing treatment. FGA acts passivation of interface and surface impurity or defects in SiO2 film. We used RTP system for FGA and gained results that reduced surface fixed charge and trap density of midgap value.
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/ / 2002 신기술동향조사 보고서 - 박막트랜지스터 : 1662002 ~
/ 1988. / The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface : 299 ~
/ 1990. / Semiconductor Material and Device Characterization : 244 ~
/ 1991. / Recrystallization of amorphous silicon films deposited by low-pressure chemical vapor deposition from Si2H6 gas 69 (3) : 1703 ~
/ 1992. / Properties of silicon dioxide films deposition at low temperatures by microwave plasma enchanced decomposition of tetraethylorthosilicate 10 : 1139 ~
/ 1988. / The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface : 299 ~
/ 1990. / Semiconductor Material and Device Characterization : 244 ~
/ 1991. / Recrystallization of amorphous silicon films deposited by low-pressure chemical vapor deposition from Si2H6 gas 69 (3) : 1703 ~
/ 1992. / Properties of silicon dioxide films deposition at low temperatures by microwave plasma enchanced decomposition of tetraethylorthosilicate 10 : 1139 ~
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