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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제6호
발행연도
2005.1
수록면
554 - 559 (6page)

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Ni/Cr thin film is very interesting material as thin film resistors, filaments, and humidity sensors because their relatively large resistivity, more resistant to oxidation and a low temperature coefficient of resistance (TCR). These interesting properties of Ni/Cr thin films are dependent upon the preparation conditions including the deposition environment and subsequent annealing treatments. Ni/Cr thin films of 250 nm were deposited by DC magnetron sputtering on Al2O3/Si substrate with 2-inch Ni/Cr (80/20) alloy target at room temperature for 45 minutes. Annealing treatments were performed at 400 oC, 500 oC, and 600 oC for 6 hours in air or H2 ambient, respectively. The clear crystal boundaries without crystal growth and the densification were accomplished when the pores were disappeared in air ambient. Most of surface was oxidic including NiO, Ni2O3 and CrxOy(x=1,2, y=2,3) after annealing in air ambient. The crystal growth in H2 ambient was formed and stabilized by combination with each other due to the suppression of oxidized substance on film surface. Most oxidic Ni was restored when the oxidic Cr was present due to its stability in high-temperature H2 ambient.
#NiCr thin film #DC magnetron sputter #Annealing #X-ray photoelectron spectroscopy #XPS)

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참고문헌 (17)

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/ 1976. / Correlation between electrical properties and AES concentration-depth profiles of NiCr thin films 39 : 219 ~ google schola / 1979. / Resistance stabilization of Ni-Cr films by surface oxide formation 16 (2) : 147 ~ google schola / 1987. / Structural and electrical properties of stable Ni/Cr thin films 16 (4) : 301 ~ google schola / 1988. / Investigation of sliding contact resistance of Ni-Cr/Au and Ni-Cr/Au-SiO2 thin resistive films 164 : 129 ~ google schola / 1988. / Use of factor analysis with O KLL Auger spectra to distinguish chemisorption and oxide formation on Ni 202 (3) : 607 ~ google schola

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