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자료유형
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제4권 제1호
발행연도
2003.1
수록면
15 - 20 (6page)

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NiCr alloys are prepared onto poly-Si/SiO2/Si substrates to replace Pt bottom electrode with a new one for integration of high dielectric constant materials. Alloys deposited at Ni and Cr power of 40 and 40 W showed optimum properties in the composition of Ni1.6Cr1.0. The grain size of films increases with increasing deposition temperature. The films deposited at 500oC showed a severe agglomeration due to homogeneous nucleation. The NiCr alloys from the rms roughness and resistivity data showed a thermal stability independent of increasing annealing temperature. The 80 nm thick BST films deposited onto Ni1.6Cr1.0/poly-Si showed a dielectric constant of 280 and a dissipation factor of about 5 % at 100 kHz. The leakage current density of as-deposited BST films was about 5 x 10-7 A/cm2 at an applied voltage of 1 V. The NiCr alloys are possible to replace Pt bottom electrode with new one to integrate for high dielectric constant materials.
#NiCr bottom electrode #BST thin films #rf sputtering #Resistivity

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