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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 714 - 719 (6page)
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NiCr thin film was deposited by DC magnetron sputtering on Al2O3/Si substrate with NiCr (80:20) alloy target. NiCr thin films were annealed at 300 ℃, 400 ℃, 500 ℃, 600 ℃ and 700 ℃ for 6 hr in H2 after annealing at 500 ℃ for 6hr in air atmosphere, respectively. To analyze NiCr thin film properties, the changes of its micro structure were investigated through field emission scanning electron microscope (FESEM). X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was used to analyze a surface of NiCr thin film. Resistance of NiCr thin film was measured by 4-point probe technique. The generated heats were measured by infrared thermometer through the application of DC voltage (5 V/12 V). NiCr thin film treated by gradational double annealing process had uniform and small grains. Maximum temperature generated heat by NiCr micro heater was 173 ℃. We expect that our results will be a useful reference in the realization of NiCr micro heater.
목차
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/ 1976. / Correlation between electrical properties and AES concentration-depth profiles of NiCr thin films 39 : 219 ~
/ 1979. / Compo- sition and temperature coefficient of resis- tance of Ni-Cr thin films 59 (1) : 33 ~
/ 1982. / Crystallization of amorphous sputtered 55 %Cr-45 %Ni thin films 92 (4) : 315 ~
/ 1988. / Investigation of sliding contact resistance of Ni-Cr/Au and Ni-Cr/Au-SiO2 thin resistive films 164 : 129 ~
/ 1990. / A substrate for thin-film gas sensors in microelectronic technology 2 (1) : 63 ~
/ 1979. / Compo- sition and temperature coefficient of resis- tance of Ni-Cr thin films 59 (1) : 33 ~
/ 1982. / Crystallization of amorphous sputtered 55 %Cr-45 %Ni thin films 92 (4) : 315 ~
/ 1988. / Investigation of sliding contact resistance of Ni-Cr/Au and Ni-Cr/Au-SiO2 thin resistive films 164 : 129 ~
/ 1990. / A substrate for thin-film gas sensors in microelectronic technology 2 (1) : 63 ~
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