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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 52 - 57 (6page)
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Precision thin film resistors using evanohm R alloy were fabricated by dc magnetron sputtering method. The physical and electrical properties of the resistors were studied after treatment of thermal annealing. The crystallization of the film was increased as the annealing temperature increase. Diffusion and oxidation of Cr and Al elements were occurred into the film surface. The minimum TCR values of 10.46 ppm/℃ and 10.65 ppm/℃ were measured at the annealing temperatures of 200 ℃ and 300 ℃, respectively. We are conducting additional studies to improve characteristics of our resistors for practical device application.
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/ 1986. / Al-doped Ni-Cr for temperature coefficient of resistance control in hybrid thin-film resistors 4 (6) : 3142 ~
/ 1986. / In situ transmission electron microscopy annealing of NiCr thin films with simultaneous Hall-voltage measurement 5 (4) : 1856 ~
/ 1992. / The materials science of thin films : 463 ~
/ 1998. / The effects of the process parameters on the electrical and microstructure characteristics of the CrSi thin resistor films 332 : 418 ~
/ 1999. / Precision resistors: a review of material characteristics, resistor design, and construction practices 48 (5) : 878 ~
/ 1986. / In situ transmission electron microscopy annealing of NiCr thin films with simultaneous Hall-voltage measurement 5 (4) : 1856 ~
/ 1992. / The materials science of thin films : 463 ~
/ 1998. / The effects of the process parameters on the electrical and microstructure characteristics of the CrSi thin resistor films 332 : 418 ~
/ 1999. / Precision resistors: a review of material characteristics, resistor design, and construction practices 48 (5) : 878 ~
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