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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Vol.34 No.5
- 발행연도
- 2017.5
- 수록면
- 307 - 310 (4page)
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Chemical mechanical polishing achieves surface planarity through combined mechanical and chemical means. The role of the chemical reaction is very important in a metal CMP like aluminum. The slurry used in aluminum CMP typically consists of oxidizers, a chelating agent, corrosion inhibitors, and abrasives. This study investigates the effect of oxalic acid as a chelating agent for aluminum CMP with H2O2. To study the chemical effect of the chelating agent, the two methods of a polishing experiment and an electrochemical analysis were used. Lastly, it was confirmed that the optimum concentration of oxalic acid significantly improved the removal rate and surface roughness of aluminum.
목차
1. 서론
2. 연구방법 및 내용
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
ACKNOWLEDGEMENT
REFERENCES
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
Hsien, Y., Hsu, H., Tsai, T., Lin, W., Huang, R., et al., “Process Development of High-K Metal Gate Aluminum CMP at 28 nm Technology Node,” Microelectronic Engineering, Vol. 92, pp. 19- 23, 2012.
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