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논문 기본 정보
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- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2002.5
- 수록면
- 136 - 144 (9page)
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The stochiometric mixture of evaporating materials for the ZnIn₂S₄ single crystal thin film was prepared from horizontal furnace. To obtain the ZnIn₂S₄ single crystal thin film, ZnIn₂S₄ mixed crystal was deposited on throughly etched semi-insulating GaAs(100) in the Hot Wall Epitaxy(HWE) system. The source and substrate temperature were 610 ℃ and 450 ℃, respectively and the growth rate of the ZnIn₂S₄ single crystal thin film was about 0.5 ㎛/hr. The crystalline structure of ZnIn₂S₄ single crystal thin film was investigated by photoluminescence and double crystal X-ray diffraction(DCXD) measurement. The carrier density and mobility of ZnIn₂S₄ single crystal thin film measured from Hall effect by van der Pauw metho are 8.51×10^(17) ㎝-³, 291 ㎠/Vㆍs at 293。 K, respectively. From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c - axis of the ZnIn₂S₄ single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit splitting ΔSo and the crystal field splitting ΔCr were 0.0148 eV and 0.1678 eV at 10 。 K, respectively. From the photoluminescence measurement of ZnIn₂S₄ single crystal thin film, we observed free excition (Ex) typically observed only in high quality crystal and neutral donor bound exciton (D°,X) having very strong peak intensity. The full width at half maximum and binding energy of neutral donor bound excition were 9 meV and 26 meV, respectively. The activation energy of impurity measured by Haynes rule was 130 meV.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 실험 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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