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논문 기본 정보

자료유형
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저자정보
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제11권 제5호
발행연도
2002.1
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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2005

광전류 분광기에 의한 CdIn2Te4 결정의 띠간격 에너지와 가전자대 갈라짐에 대한 연구
이상열 ,  홍광준 한국재료학회 학술발표대회 2005.01 학술대회자료

2003

$CdIn_2Te_4$ 단결정 성장과 광발광 특성
이상열 ,  홍광준 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

2002

Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의한 $AgGaSe_2$ 단결정 박막 성장과 광전기적특성
이상열 ,  홍광준 한국결정학회 학술연구발표회 2002.01 학술대회자료
Hot Wall Epitaxy 법에 의한 CdIn2S4 단결정 박막의 성장과 광전류 특성
이상열 ,  홍광준 ,  박진성 센서학회지 2002.01 학술저널

2000

Hot Wall Epitaxy(HWE)에 의한 $AgInSe_2$ 단결정 박막 성장과 광학적 특성
이상열 한국결정학회 학술연구발표회 2000.01 학술대회자료

초록· 키워드

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수평 전기로에서 CdIn2S4 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 CdIn2S4 단결정 박막을 반절연성 GaAs (100)기판에 성장시켰다. CdIn2S4 단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 630 ℃, 기판의 온도 420 ℃였고 성장 속도는 0.5 ㎛/hr였다. CdIn2S4 단결정 박막의 결정성의 조사에서 10 K에서 광발광(photoluminescence) 스펙트럼이 463.9 nm (2.6726 eV)에서 exciton emission 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중 결정 X-선 요동 곡선(DCRC) 의 반폭치(FWHM)도 127 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 9.01 × 1016 /cm3, 219 cm2/V·s였다. CdIn2S4 /SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap Eg(T)는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 2.7116eV - (7.74×10-4eV/K)T2/(T＋434K)이었으며 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting Δcr값이 0.1291 eV이며 spin-orbit Δso값은 0.0248 eV임을 확인하였다. 10K일 때 광전류 봉우리들은 n = 1일때 A1-, B1-와 C1-exciton 봉우리임을 알았다.
#Hot Wall Epitaxy #Single crystal thin film #Hall effect #crystal field splitting #spin-orbit splitting #exciton peak

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