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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제24권 제10호
발행연도
2011.1
수록면
799 - 802 (4page)

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본 연구에서는, 서로 도핑농도가 다르게 성장된 SiC단결정을 종자정 웨이퍼로하여 물리적 기상 수송법으로 결정성장을 시켰다. 두 개의 종자정으로 동시에 성장시킨 SiC 결정을 잘라 웨이퍼로 만들어 종자정 도핑농도에 따른 단결정의 결정질과 도핑농도의 영향에 대한 실험을 하였다.

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