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This paper describes the characteristics of poly 3C-SiC micro resonators with 3×1017~1×1019cm-3 doping concentrations. The 1.2 μm thick cantilever and the 0.4 μm thick doubly clamped beam resonators with different lengths were
fabricated using poly 3C-SiC thin films. The characteristics of poly 3C-SiC micro resonators were evaluated by quartz and a laser vibrometer in vacuum at room temperature. The resonant frequencies of micro resonators decreased with doping concentrations owing to reduction in the Young's modulus of poly 3C-SiC thin films. It was confirmed that the resonant frequencies of poly 3C-SiC resonators are controllable by doping concentrations. Therefore, poly 3C-SiC resonators could be applied to MEMS devices and bio/chemical sensor applications.
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B. J. Wijesundara / 2003 / Nitrogen doping of polycrystalline 3C-SiC films grown using 1,3-disilabutane in a conventional LPCVD reactor / J. Crystal Growth 259 : 18 ~ 25
C. T. C. Nguyen / 1998 / Micromachined devices for wireless communications / Proc. IEEE : 1756 ~ 1768
Gwiy-Sang Chung / 2007 / Magnetron Reactive Ion Etching of Polycrystalline 3C-SiC Thin Films / Journal of the Korean Physical Society 51 (5) : 1673 ~ 1678
J. Zhang / 2006 / Electrical characterization of n-type polycrystalline 3C-SiC thin films deposited by 1,3-dislabutane / J. Electrochemical Soc. 153 : 548 ~ 551
P. S. Waggoner / 2007 / Micro- and nanomechanical sensors for environmental, chemical, and bio logical detection / Lap Chip 7 : 1238 ~ 1255
C. T. C. Nguyen / 1998 / Micromachined devices for wireless communications / Proc. IEEE : 1756 ~ 1768
Gwiy-Sang Chung / 2007 / Magnetron Reactive Ion Etching of Polycrystalline 3C-SiC Thin Films / Journal of the Korean Physical Society 51 (5) : 1673 ~ 1678
J. Zhang / 2006 / Electrical characterization of n-type polycrystalline 3C-SiC thin films deposited by 1,3-dislabutane / J. Electrochemical Soc. 153 : 548 ~ 551
P. S. Waggoner / 2007 / Micro- and nanomechanical sensors for environmental, chemical, and bio logical detection / Lap Chip 7 : 1238 ~ 1255
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