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저자정보
안정학 (울산대학교 전기전자정보시스템공학부) 정귀상 (울산대학교 전기전자정보시스템공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2007년도 춘계학술대회
발행연도
2007.1
수록면
179 - 182 (4page)

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Polycrystaline (poly) 3C-SiC thin film on n-type and p-type Si were deposited by APCVD using HMDS, $H_2$, and Ar gas at $1180^{\circ}C$ for 3 hour. And then the schottky diode with Au/poly 3C-Sic/Si(n-type) structure was fabricated. Its threshold voltage ($V_d$), breakdown voltage, thickness of depletion layer, and doping concentration ($N_D$) value were measured as 0.84 V, over 140 V, 61nm, and $2.7{\times}10^{19}\;cm^3$, respectively. The p-n junction diode fabricated by poly 3C-SiC was obtained like characteristics of single 3C-SiC p-n junction diode. Therefore, its poly 3C-SiC thin films are suitable MEMS applications in conjuction with Si fabrication technology.

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