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PBN 도가니를 이용하여 Si이 도핑된 GaAs 단결정을 수직경사 응고법으로 성장시켰다. PBN 도가니에 산화막인 B2O3의 양을 0~0.2 wt% 범위에서 변화시키면서, 성장 후 캐리어 농도를 측정하였다. B2O3 첨가량이 증가함에 따라, 초기 0.1 정도의 Si 도판트의 편석계수는 0.01 부근까지 급격히 감소하고, 동시에 캐리어 농도도 감소하는 것을 알 수 있었다. 이는 성장도중 도판트인 Si이 B2O3과 반응하며 도너인 Si 양을 감소시키며, 동시에 억셉터인 B 양을 증가시키기 때문으로 보인다. 한편 PBN 도가니 내면에 얇은 유리질의 B2O3 층 형성이 용이한 고온 산화막 처리가 결함감소에 효과적임을 확인하였다.
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A. Flat / 1991 / Silicon incorporation anomaly in LEC grown GaAs / J. Crystal Growth 109 : 224 ~
A.N. Gulluoglu / 2000 / Dislocation generation in GaAs crystals grown by the vertical gradient freeze method / J. Materials Processing Technology 102 : 179 ~
C. Hannig / 1999 / Study of silicon-doped VGF-GaAs by DSL-etching and LVM spectroscopy and the influence of B2O3 coating / Materials Science and Engineering B66 : 97 ~
E. Buhrig / 1997 / Growth and properties of semi-insulating VGF-GaAs / Materials Science and Engineering B 44 : 248 ~
I.C. Bassignana / 1997 / Variation in the lattice parameter and crystal quality of commercially available Si-doped GaAs substrates / J. Crystal Growth 178 : 445 ~
A.N. Gulluoglu / 2000 / Dislocation generation in GaAs crystals grown by the vertical gradient freeze method / J. Materials Processing Technology 102 : 179 ~
C. Hannig / 1999 / Study of silicon-doped VGF-GaAs by DSL-etching and LVM spectroscopy and the influence of B2O3 coating / Materials Science and Engineering B66 : 97 ~
E. Buhrig / 1997 / Growth and properties of semi-insulating VGF-GaAs / Materials Science and Engineering B 44 : 248 ~
I.C. Bassignana / 1997 / Variation in the lattice parameter and crystal quality of commercially available Si-doped GaAs substrates / J. Crystal Growth 178 : 445 ~
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