p-type GaN의 Activation을 통한 광전기화학적 특성 향상

방승완; 김하성; 배효정; 주진우; 강성주; 하준석

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자료유형: 학술저널

저자정보: 방승완 김하성 배효정 주진우 강성주 하준석

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제24권 제4호

발행연도: 2017.1

수록면: 59 - 63 (5page)

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n-type GaN 반도체는 광전극으로서 우수한 성질을 가지고 있지만, 표면에서 일어나는 산소반응으로 인한 광부식으로 신뢰성이 저하되는 큰 단점이 있다. 이를 근본적으로 억제하기 위하여 표면에서 수소 발생 반응이 일어나는 ptype GaN를 광전극으로 사용함으로써 광부식을 피하고자 하는 연구가 진행되고 있다. 하지만 p-type GaN은 비저항이 높고 정공 이동도가 낮기 때문에 효율이 낮다는 단점을 가지고 있다. 본 연구에서는 이러한 문제를 p-type GaN의 activation 공정을 통해 개선하고자 한다. 전극으로 사용될 p-type GaN을 N2 분위기의 500oC에서 1분 동안 annealing을 하였다. Hall effect 측정을 통하여 전기적 특성을 확인하였으며, potentiostat (PARSTAT4000) 측정을 통하여 광전기화학적(photoelectrochemical, PEC) 특성을 분석하였다. 그 결과 annealing 공정을 통하여 광전류밀도가 1.5배 이상 향상되었으며, 3시간 동안 안정적인 광전류 값을 확인하였다.

#PEC #GaN #Activation #Photocurrent #Potentiostat

참고문헌 (25)

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C. H. Kuo / 2002 / Low Temperature Activation of Mg-Doped GaN in O2 Ambient / J. Appl. Phys 41 (2) : L112 ~

D. H. Youn / 1999 / Investigation on the p-type activation mechanism in Mg-doped GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition / Jpn. J. Appl. Phys 38 : 631 ~

D. J. Kim / 2001 / Activation of Mg acceptor in GaN: Mg with pulsed KrF (248 nm) excimer laser irradiation / Phys. Stat. Sol. (b) 228 : 375 ~

I. Akasaki / 1993 / Growth of GaN and AlGaN for UV blue p-n junction diodes / J. Crystal Growth 128 : 379 ~

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