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논문 기본 정보

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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제16권 제2호
발행연도
2006.1
수록면
66 - 70 (5page)

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실리콘 웨이퍼 표면에 기계적인 손상을 가한 후 산화 열처리 공정을 실시하면 온도와 기계적인 손상의 크기에 따라 여러 가지 결정 결함이 발생된다. 기계적인 손상이 크고 열처리 온도가 증가함에 따라 dislocation loop 등의 대형 결 함들이 발생되고 열처리 온도가 낮거나 손상의 크기가 작을수록 OISF(Oxidation Induced Stacking Faults) 등의 소형 결함들 이 많이 발생된다. Minority carrier lifetime을 측정하여본 결과 결함의 크기가 작을수록 minority carrier lifetime이 높은 것으 로 밝혀졌다. 더욱이 dislocation loop 등의 결정 결함보다는 결함 발생 이전 단계인 strained layer등이 금속불순물에 대한 gettering의 효과가 더욱 높음을 알 수 있었다.y?R2;
#Defects #Strained layer #Silicon crystal #Gettering

목차

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참고문헌 (11)

참고문헌 신청
C.-Y. Choi / 1999 / Characterization of mechanical damage on structural and electrical propertiesof silicon wafers 43 : 2011 ~ google schola D.I. Kim / 2005 / The influence of mechanical damage on the formation of structural defects on the silicon surface during oxidation 15 : 45 ~ google schola F. Secco d’Aragona / 1972 / planes in silicon : 948 ~ google schola H. Tsuya / 1983 / Transient behavior of instrinsic gettering in CZ silicon wafers google schola I. Perichaud / 2002 / Gettering of impurities in solar silicon google schola

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