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저자정보
조규삼 (창원대학교) 김미영 (창원대학교) 강민철 (창원대학교) 장지혜 (창원대학교) 하판봉 (창원대학교) 김영희 (창원대학교)
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제14권 제1호
발행연도
2010.1
수록면
183 - 190 (8page)

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본 논문에서는 외부 프로그램 전압으로 프로그램 가능한 로직 공정 기반의 eFuse OTP 셀을 제안하였다. 기존의 eFuse OTP 메모리 셀은 eFuse의 양극 (anode)에 연결된 SL (Source Line)으로 SL 구동회로의 전압강하를 거치면서 프로그램 데이터가 공급된 반면, 새롭게 제안된 eFuse 셀은 NMOS 프로그램 트랜지스터의 게이트에 프로그램 데이터가 공급되고 eFuse의 양극에 3.8V의 외부프로그램 전압(FSOURCE)이 전압강하 없이 공급된다. 그리고 제안된 셀의 FSOURCE 전압은 읽기 모드에서 0V 또는 플로팅 상태를 유지한다. 한편 본 논문에서는 FSOURCE 핀의 전압이 플로팅 상태인 경우는 회로적으로 0V로 바이어싱하는 클램프 회로를 제안하였고, 로직 전압인 VDD (=1.8V)와 FSOURCE 전압 사이에 스위칭해주는 VPP 스위칭 회로를 제안하였다. 동부하이텍 0.15㎛ generic 공정으로 설계된 8비트 eFuse OTP IP의 레이아웃 면적은 359.92×90.98㎛²이다.
#이퓨즈 #오티피 #외부프로그램 전압 #클램프 회로 #VPP 스위칭 회로 #efuse #OTP #external program voltage #clamp circuit #VPP switehing circuit

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계
Ⅲ. 모의실험
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (5)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - J. H. Lee / 2009 / Design of a Asynchronous eFuse One-Time Programmable Memory IP of 1 Kilo Bits Based on a Logic Process / Journal of KIMICS 13 (7) : 1371 ~ 1378 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - Y. H. Kim / 2009 / Design of Asynchronous Multi-Bit OTP Memory / IEICE Trans. Electron E92-C (1) : 173 ~ 177 google schola 4. [학술대회논문] - N. Robson / 2007 / Electrically Programmable Fuse (eFuse): From Memory Redundancy to Autonomic Chips / Proceedings of Custom Integrated Circuits Conference : 799 ~ 804 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - 이천효 / 2009 / 저면적 1-kb PMOS Antifuse-Type OTP IP 설계 / 한국정보통신학회논문지 13 (9) : 1858 ~ 1864 dbpia 이용진, 김태훈, 심외용, 박무훈, 하판봉, 김영희. 동기식 256-bit OTP메모리 설계. 한국정보통신학회논문지. 2008 dbpia

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