Logic eFuse OTP 메모리 IP 설계

임영욱; 하판봉; 김영희

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자료유형: 학술저널

저자정보: 임영욱 (창원대학교) 하판봉 (창원대학교) 김영희 (창원대학교)

저널정보: 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제20권 제2호

발행연도: 2016.2

수록면: 317 - 326 (10page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2016

Logic eFuse OTP 메모리 IP 설계

임영욱 , 하판봉 , 김영희 한국정보통신학회논문지 2016.02 학술저널

저면적 logic eFuse OTP 메모리 IP 설계에 대한 연구

임영욱 메카트로닉스공학부 2016.01 학위논문

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본 논문에서는 OTP (One-Time Programmable) IP (Intellectual Property)의 개발비용을 절감하고 개발 기간을 단축하기 위해 로직 트랜지스터만 이용한 로직 eFuse (electrical Fuse) OTP IP를 설계하였다. 웨이퍼 테스트 시 테스트장비에서 FSOURCE 패드를 통해 VDD (=1.5V)보다 높은 2.4V의 외부 프로그램 전압을 eFuse OTP IP에만 공급하므로 eFuse OTP 이외의 다른 IP에는 소자의 신뢰성에 영향을 미치지 않으면서 eFuse OTP cell의 eFuse 링크에 높은 전압을 인가하도록 하였다. 한편 본 논문에서는 128행 × 8열의 2D (Dimensional) 메모리 어레이에 직접 FSOURCE 전압을 인가하여 eFuse에 인가되는 프로그램 파워를 증가시키면서 디코딩 로직 회로를 저면적으로 구현한 eFuse OTP셀을 제안하였다. 동부하이텍 0.11㎛ CIS 공정을 이용하여 설계된 1Kb eFuse OTP 메모리 IP의 레이아웃 면적은 295.595㎛ × 455.873㎛ (=0.134㎟)이다.

#로직 eFuse #OTP #외부 프로그램 전압 #저면적 #Logic eFuse #external program volta #small area

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Comparison of Embedded Non-Volatile Memory Technologies and Their Applications[Internet]. Available: http://www.kilopass.com/wp-content/uploads/2010/04/com parison_of_embedded_nvm.pdf. EMBEDDED NON -VOLATILE MEMORY[Internet]. Available: http://www.umc.com/english/pdf/eNVM_DM. pdf. APPLICATION[Internet]. Available: http://www.sidense. com/applications. T. H. Kim, L. Z. Li, O. Y. Shim, M. H. Park, P. B. Ha, and Y. H. Kim, "Design of Synchronous 256-bit OTP Memory," KIMICS, vol. 12, no. 7, pp. 1227-1234, July 2008.

G. S. Cho, M. Y. Kim, M. C. Kang, J. H. jang, P. B. Ha, and Y. H. Kim, “Design of an 8-Bit eFuse One-Time Programmable Memory IP Using an External Voltage,” KIMICS, vol. 14, no. 1, pp. 183-190, Jan. 2009.

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