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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.10
- 수록면
- 2,209 - 2,216 (8page)
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본 논문에서는 Magnachip 0.18㎛ 공정을 이용하여 PMIC용 32bit eFuse OTP IP를 설계하였다. eFuse 링크 아래에 N-Well을 두어 프로그램시 eFuse 링크와 p-기판의 VSS가 단락되는 문제점을 해결하였다. 그리고 디코딩된 WERP(WL Enable for Read or Program) 신호가 eFuse OTP 메모리로 바로 입력되는 경우 듀얼 포트 eFuse OTP 메모리 셀의 RWL (Read Word-Line)과 WWL (Write Word-Line)을 선택적으로 활성화해 주는 WL 구동회로를 제안하였다. 또한 BL 프리차징 회로에서 delay chain을 제거하여 제어회로의 레이아웃 면적을 줄였다. 메모리 테스트 장비를 이용하여 제작된 94개의 샘플 die를 측정한 결과 5.5V의 프로그램 전압에서 100%의 수율을 얻었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로설계
Ⅲ. 모의실험 및 측정 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (5)
참고문헌 신청
1. [단행본] - Donald G. Fink / 1996 / Electronics Engineers' Handbook / McGraw-Hill
2. [학술대회논문] - N. Robson / 2007 / Electrically Programmable Fuse (eFuse): From Memory Redundancy to Autonomic Chips / Proceedings of Custom Integrated Circuits Conference : 799 ~ 804
3. [학술대회논문] - S. H. Kulkarni / 2009 / High-Density 3-D Metal-Fuse PROM featuring 1.37㎛2 1T1R Bit Cell in 32nm High-k Metal-Gate CMOS Technology / Symp. VLSI Circuits : 28 ~ 29
4. [학술지(정기간행물)] - Du-Kwi Kim / 2010 / Design and Measurement of a 1-KBit eFuse One-Time Programmable Memory IP Based on a BCD Process / Information, and Communication Engineers 93 (8) : 1365 ~ 1370
5. [학술지(정기간행물)] - Jeong-Ho Kim / 2011 / Design of 1-Kb eFuse OTP Memory IP with Reliability Considered / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 11 (2) : 88 ~ 94
2. [학술대회논문] - N. Robson / 2007 / Electrically Programmable Fuse (eFuse): From Memory Redundancy to Autonomic Chips / Proceedings of Custom Integrated Circuits Conference : 799 ~ 804
3. [학술대회논문] - S. H. Kulkarni / 2009 / High-Density 3-D Metal-Fuse PROM featuring 1.37㎛2 1T1R Bit Cell in 32nm High-k Metal-Gate CMOS Technology / Symp. VLSI Circuits : 28 ~ 29
4. [학술지(정기간행물)] - Du-Kwi Kim / 2010 / Design and Measurement of a 1-KBit eFuse One-Time Programmable Memory IP Based on a BCD Process / Information, and Communication Engineers 93 (8) : 1365 ~ 1370
5. [학술지(정기간행물)] - Jeong-Ho Kim / 2011 / Design of 1-Kb eFuse OTP Memory IP with Reliability Considered / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 11 (2) : 88 ~ 94
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