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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.2
- 수록면
- 306 - 316 (11page)
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본 논문에서는 프로그램 선택 소자는 채널 폭이 큰 NMOS (N-channel MOSFET) 트랜지스터 대신 DNW (Deep N-Well) 안에 형성된 채널 폭이 작은 isolated NMOS 트랜지스터의 body인 PW (P-Well)과 source 노드인 n+ diffusion 영역 사이에 형성된 기생하는 접합 다이오드를 사용하는 NMOS-Diode eFuse OTP (One-Time Programmable) 셀을 제안하였다. 제안된 eFuse OTP 셀은 프로그램 모드에서 NMOS 트랜지스터에 형성되는 기생하는 접합 다이오드를 이용하여 eFuse를 blowing 시킨다. 그리고 읽기 모드에서는 접합 다이오드를 이용하는 것이 아니고 NMOS 트랜지스터를 이용하기 때문에 다이오드의 contact voltage 강하를 제거할 수 있으므로 ‘0’ 데이터에 대한 센싱불량을 제거할 수 있다. 또한 읽기 모드에서 채널 폭이 작은 NMOS 트랜지스터를 이용하여 BL에 전압을 전달하므로 OTP 셀의 blowing되지 않은 eFuse를, 통해 흐르는 읽기 전류를 100㎂ 이내로 억제하여 blowing되지 않은 eFuse가 blowing되는 문제를 해결할 수 있다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계
Ⅲ. 모의실험 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (10)
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J. H. Jang, L. Y. Jin, S. K. Heo, J. P. Josonen, T. W. Kim, P. B. Ha, and Y. H. Kim, "Design of Intra Oral X-ray CMOS Image Sensing," Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, vol. 16, no. 10, pp. 2237-2246, Oct. 2012.
ICT Brief[internet]. Available: http://webzine.iitp.kr/down/ vol02/brief/ICT_Brief_2015_31.pdf.
J. H. Kim, J. H. Jang, L. Y. Jin, P. B. Ha, and Y. H. Kim, “Design of Low-Power OTP Memory IP and its Measurement,” KIMICS, vol. 14, no. 11, pp. 2541-2547, Nov. 2010.
S. H. Kulkarni, Z. Chen, B. Srinivasan, B. Pedersen, U. Bhattacharya, and K. Zhang, "Low-Voltage Metal-Fuse Technology Featuring a 1.6V-Programmable 1T1R Bit Cell with an Integrated 1V Charge Pump in 22nm Tri-Gate Process," Digest of Technical Papers, Symposium on VLSI Circuits, pp. C174-C175, June 2015.
G. Uhlmann, T. Aipperspach, T. Kirihata, Chandrasekharan, Kothandaraman, Y. Z. Li, C. Paone, B. Reed, N. Robson, J. Safran, D. schmitt, and S. Iyer, "A Commercial Field-Programmable Dense eFUSE Array Memory with 99.999% Sense Yield for 45nm SOI CMOS," Digest of Technical Papers, IEEE International Solid-State Circuits Conference, pp. 406-407, Feb. 2008.
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J. H. Kim, J. H. Jang, L. Y. Jin, P. B. Ha, and Y. H. Kim, “Design of Low-Power OTP Memory IP and its Measurement,” KIMICS, vol. 14, no. 11, pp. 2541-2547, Nov. 2010.
S. H. Kulkarni, Z. Chen, B. Srinivasan, B. Pedersen, U. Bhattacharya, and K. Zhang, "Low-Voltage Metal-Fuse Technology Featuring a 1.6V-Programmable 1T1R Bit Cell with an Integrated 1V Charge Pump in 22nm Tri-Gate Process," Digest of Technical Papers, Symposium on VLSI Circuits, pp. C174-C175, June 2015.
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