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저자정보
Heon Park (Changwon National University) RiJun Jin (Changwon National University) Pan-Bong Ha (Changwon National University) Young-Hee Kim (Changwon National University)
저널정보
한국정보통신학회 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING Vo.7 No.1
발행연도
2015.6
수록면
119 - 124 (6page)

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In this paper, a 64-bit eFuse OTP memory is designed based on a logic process, which will be applied to an analog trimming in sensor applications such as illumination, IR, and RGB sensors; and to a chip ID storage. To prevent a non-blown eFuse from being blown by the EM (electro-migration) phenomenon, the current over the eFuse is designed to be within 100㎂ Also, the program-verify-read mode is implemented to output the comparison result of a programmed datum with its read-out datum through a PFb (pass fail bar) pin. The layout size of the designed 64-bit eFuse OTP memory IP with Dongbu HiTek"s 0.18μm logic process is 156.54 μm × 156.32 μm.
#OTP memory #eFuse #Program-verify-read #EM

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. CIRCUIT DESIGN
III. SIMULATION RESULTS
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

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