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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.7
- 수록면
- 1,455 - 1,462 (8page)
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본 논문에서는 BCD 공정 기반으로 PMIC용 고신뢰성 24비트 듀얼 포트(dual port) eFuse OTP 메모리를 설계하였다. 제안된 dynamic pseudo NMOS 로직회로를 이용한 프로그램 데이터 비교회로는 program-verify-read 모드에서 프로그램 데이터와 read 데이터를 비교하여 PFb(pass fail bar) 핀으로 비교 결과를 출력한다. 그래서 한 개의 PFb 핀만 테스트하므로 eFuse OTP 메모리가 정상적으로 프로그램 되었는지를 확인할 수 있다. 그리고 program-verify-read 모드를 이용하여 프로그램된 eFuse 저항의 변동을 고려한 가변 풀-업 부하(variable pull-up load)를 갖는 센싱 마진 테스트 회로를 설계하였다. Magnachip 0.35㎛ BCD 공정을 이용하여 설계된 24비트 eFuse OTP 메모리의 레이아웃 면적은 289.9㎛ × 163.65㎛(=0.0475㎟)이다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로설계
Ⅲ. 모의실험 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (6)
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1. [학술지(정기간행물)] - S. H. Kulkarni / 2010 / A 4kb metal-fuse OTP-ROM macro featuring a 2V programmable 1.37㎛2 1T1R bit cell in 32㎚ high-k metal-gate CMOS / IEEE Solid-State Circuits 45 (4) : 863 ~ 868
2. [학술대회논문] - J. Safran / 2007 / A compact eFuse programmable array memory for SOI CMOS / Symposium on VLSI Circuits : 72 ~ 73
3. [학술대회논문] - N. Robson / 2007 / Electrically programmable fuse (eFuse): From memory redundancy to autonomic chip / Proceedings of Custom Integrated Circuits Conference : 799 ~ 804
4. [학술대회논문] - M. Alavi / 1997 / A PROM element based on salicide agglomeration of poly fuses in a CMOS logic process / IEEE International Electron Devices Meeting : 855 ~ 858
5. [학술지(정기간행물)] - Jeong-Ho Kim / 2011 / Design of 1-Kb eFuse OTP Memory IP with Reliability Considered / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 11 (2) : 88 ~ 94
2. [학술대회논문] - J. Safran / 2007 / A compact eFuse programmable array memory for SOI CMOS / Symposium on VLSI Circuits : 72 ~ 73
3. [학술대회논문] - N. Robson / 2007 / Electrically programmable fuse (eFuse): From memory redundancy to autonomic chip / Proceedings of Custom Integrated Circuits Conference : 799 ~ 804
4. [학술대회논문] - M. Alavi / 1997 / A PROM element based on salicide agglomeration of poly fuses in a CMOS logic process / IEEE International Electron Devices Meeting : 855 ~ 858
5. [학술지(정기간행물)] - Jeong-Ho Kim / 2011 / Design of 1-Kb eFuse OTP Memory IP with Reliability Considered / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 11 (2) : 88 ~ 94
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