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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김영희 (창원대학교) 김홍주 (창원대학교) 하윤규 (매그나칩) 하판봉 (창원대학교)
저널정보
한국정보전자통신기술학회 한국정보전자통신기술학회 논문지 한국정보전자통신기술학회 논문지 제13권 제1호
발행연도
2020.2
수록면
64 - 71 (8page)

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전력 반도체 소자의 게이트 구동 칩의 아날로그 회로를 트리밍하기 위해서는 eFuse OTP IP가 필요하다. 기존의 NMOS 다이오드 형태의 eFuse OTP 셀은 셀 사이즈가 작은 반면 DNW(Deep N-Well) 마스크가 한 장 더 필요로 하는 단점이 있다. 본 논문에서는 CMOS 공정에서 추가 공정이 필요 없으면서 셀 사이즈가 작은 PMOS-다이오드 형태의 eFuse OTP 셀을 제안하였다. 본 논문에서 제안된 PMOS-다이오드 형태의 eFuse OTP 셀은 N-WELL 안에 형성된 PMOS 트랜지스터와 기억소자인 eFuse 링크로 구성되어 있으며, PMOS 트랜지스터에서 기생적으로 만들어지는 pn 접합 다이오드를 이용하였다. 그리고 PMOS-다이오드 형태의 eFuse 셀 어레이를 구동하기 위한 코어 구동회로를 제안하였으며, SPICE 모의실험 결과 제안된 코어 회로를 사용하여 61㏀의 post-program 저항을 센싱하였다. 한편 0.13㎛ BCD 공정을 이용하여 설계된 PMOS-다이오드 형태의 eFuse OTP 셀과 512b eFuse OTP IP의 레이아웃 사이즈는 각각 3.475㎛ × 4.21㎛ (=14.62975㎛2)과 119.315㎛ × 341.95㎛ (=0.0408㎟)이며, 웨이퍼 레벨에서 테스트한 결과 정상적으로 프로그램 되는 것을 확인하였다.
#Analog Trimming #PMOS-diode #Power Semiconductor #eFuse #OTP

목차

요약
Abstract
1. 서론
2. 회로 설계
3. 모의실험 및 측정 결과
4. 결론
REFERENCES

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
http://www.ti.com/lit/pdf/slyy169 google schola Y. J. Han / 2017 / 스위치드 커패시터를 이용한 SiC MOSFET용 음전압 게이트 구동 회로 / 2017년도 대한전기학회 창립 70주년 기념 하계학술대회 논문집 :12~14 google schola S. H. Kulkarni / 2010 / A 4kb metal-fuse OTP-ROM macro featuring a 2V programmable 1.37㎛2 1T1R bit cell in 32㎚high-k metal-gate CMOS / IEEE Journal of Solid-State Circuits 45(4):863~868 google schola 정우영 / 2014 / PMIC용 넓은 동작전압 영역을 갖는 eFuse OTP 설계 / 한국정보통신학회논문지 18(1):115~122 dbpia N. Robson / 2007 / Electrically Programmable Fuse (eFuse): From Memory Redundancy to Autonomic Chips / Proceedings of Custom Integrated Circuits Conference :799~804 google schola

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