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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2009년도 추계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2009.11
수록면
1,476 - 1,481 (6page)

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The electromigration formation which is one of a critical failure mechanism in microelectronic devices. Minimizing the thin film interconnections make high current densities at electrical metal pattern. If an electrical current flows through a thin metal pattern, electromigration problems are occurred. The current density over 1×10? A/㎠ on a constant d.c. power when current flow in aluminum metal make electromigration. The electromigration due to Joule heating under high current density and high temperature conditions can be confirmed by resistance increase. The electromigration makes electronic open by induced void at anode and short state by induced hillock at cathode. Finally, we estimated the relation of life-stress and acceleration factor with ALTA data.

목차

Abstract
1. 서론
2. Electromigration에 의한 고장 메커니즘
3. Electromigration의 가속수명시험
4. 결론
참고문헌

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