Electromigration-induced void evolution in upper and lower layer dual-inlaid Copper interconnect structures

Pete, D.J.; Mhaisalkar, S.G.; Helonde, J.B.; Vairagar, A.V.

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자료유형: 학술저널

저자정보: Pete, D.J. (Datta Meghe College of Engineering) Mhaisalkar, S.G. (School of Materials Engineering, Nanyang Technological University) Helonde, J.B. (ITM College of Engineering) Vairagar, A.V. (OMScientific Private Limited)

저널정보: 테크노프레스 Advances in materials research : AMR Advances in materials research : AMR 제1권 제2호

발행연도: 2012.1

수록면: 109 - 113 (5page)

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Electromigration-induced void evolutions in typical upper and lower layer dual-inlaid Copper (Cu) interconnect structures were simulated by applying a phenomenological model resorting to Monte Carlo based simulations, which considers redistribution of heterogeneously nucleated voids and/or pre-existing vacancy clusters at the Copper/dielectric cap interface during electromigration. The results indicate that this model can qualitatively explain the electromigration-induced void evolutions observations in many studies reported by several researchers heretofore. These findings warrant need to re-investigate technologically important electromigration mechanisms by developing rigorous models based on similar concepts.

#electromigration in Copper #surface void migration #dual-inlaid Copper interconnect

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이 논문의 저자 정보

Pete, D.J.

소속기관 Datta Meghe College of Engineering

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논문수 1 이용수 0

Mhaisalkar, S.G.

소속기관 School of Materials Engineering, Nanyang Technological University

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학

논문수 1 이용수 0

Helonde, J.B.

소속기관 ITM College of Engineering

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학

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Vairagar, A.V.

소속기관 OMScientific Private Limited

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학

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