수치모델을 이용한 ICP-CVD 장치의 증착 균일도 해석

주정훈

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자료유형: 학술저널

저자정보: 주정훈

저널정보: 한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제41권 제6호

발행연도: 2008.12

수록면: 279 - 286 (8page)

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Numerical analysis is done to investigate which would be the most influencing process parameter in determining the uniformity of deposition thickness in TiN ICP-CVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition). Two configurations of ICP antenna are modeled; side and top planar. Side and top gas inlets are considered with each ICP antenna geometries. Precursor for TiN deposition was TDMAT(Tetrakis Diethyl Methyl Amido Titanium). Two step volume dissociation of TDMAT is used and absorption, desorption and deposition surface reactions are included. Most influencing factors are H and N concentration dissociated by electron impact collisions in plasma volume which depends on the relative positions of gas inlet and ICP antenna generated hot plasma region. Low surface recombination of N shows hollow type concentration, but H gives a bell type distribution. Film thickness at substrate edges is sensitive to gas flow rate and at high pressures getting more dependent on flow characteristics.

#Plasma #Chemical vapor deposition #Fluid simulation

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1. [학술지(정기간행물)] - Y. J. Lee / 2003 / / Thin Solid Films 435 : 275 ~

2. [학술지(정기간행물)] - Y. Setsuhara / 2003 / / Surf. Coat. Technol 174- : 33 ~

3. [학술지(정기간행물)] - D. K. Lee / 2003 / / Surf. Coat. Technol 173-174 : 1234 ~

4. [학술지(정기간행물)] - S. J. Son / 2008 / / J. Crystal. Growth 310 : 1697 ~

5. [학술지(정기간행물)] - 양원균 / 2007 / Al:ZnO의 펄스 스퍼터 증착에서 주파수에 따른 플라즈마의특성과 기판 온도 변화 / 한국표면공학회지 40 (5) : 209 ~ 213

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