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- 자료유형
- 학술저널
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- 발행연도
- 2002.1
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The silylated photoresist etch process was tested by enhanced-ICP. The comparison of the two process results of micro pattern etching with 0.35㎛ CD by E-ICP and ICP reveals that E-ICP has better quality than ICP. The etch rate and the RIE lag effect was improved in E-ICP. Especially, the problem of the lateral etch was improved in E-ICP.
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