전면발광 유기광소자용 박막 봉지를 위한유도결합형 화학 기상 증착 장치

김한기

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김한기

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제6호

발행연도: 2006.1

수록면: 538 - 546 (9page)

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We report on characteristics of specially designed inductively-coupled-plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) system for top-emitting organic light emitting diodes (TOLEDs). Using high-density plasma on the order of 1011 electrons/cm3 generated by linear-type antennas connected in parallel and specially designed substrate cooling system, a 100 nm-thick transparent SiNx passivation layer was deposited on thin Mg-Ag cathode layer at substrate temperature below 50 oC without a noticeable plasma damage. In addition, substrate-mask chucking system equipped with a mechanical mask aligner enabled us to pattern the SiNx passivation layer without conventional lithography processes. Even at low substrate temperature, a SiNx passivation layer prepared by ICP-CVD shows a good moisture resistance and transparency of 5×10-3 g/m2/day and 92 %, respectively. This indicates that the ICP-CVD system is a promising methode to substitute conventional plasma enhanced CVD (PECVD) in thin film passivation process.

#Inductively-coupled-plasma chemical vapor deposition #Top-emitting organic light emitting diodes #SiNx #Passivation #Linear-type antenna

참고문헌 (17)

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/ 1987. / Organic electroluminescnet diodes 51 : 913 ~

/ 1994. / Reliability and degradation of organic light emitting devices 65 (23) : 2922 ~

/ 1997. / In situ characterization of the oxidative degradation of a polymeric light emitting device 81 (8) : 3716 ~

/ 1998. / Degradation processes at the cathode/organic interface in organic light emitting devices with Mg:Ag cathodes 72 (21) : 2642 ~

/ 2000. / Organic LED full color passive-matrix display 87-89 : 56 ~

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