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저자정보
유한석 (인하대학교) 양승국 (인하대학교) 김한형 (인하대학교) 이승용 (인하대학교) 신상현 (인하대학교) 박세근 (인하대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2007년 하계종합학술대회
발행연도
2007.7
수록면
891 - 892 (2page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2007

E-ICP와 ICP를 이용한 MIS(Mo/HfO₂/Si) Capacitor의 Plasma Etching Damage 연구
유한석 ,  양승국 ,  김한형 외 3명 대한전자공학회 학술대회 2007.07 학술대회자료
E-ICP와 ICP를 이용한 MIS(Mo/HfO₂/Si) Capacitor의 Plasma Etching Damage 연구
유한석 ,  양승국 ,  김한형 외 3명 대한전자공학회 학술대회 2007.07 학술대회자료

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Characteristics of HfO₂ and Mo are compared using ICP and E-ICP. E-ICP that used axis magnetic field to ICP to improve plasma density is improved etch selectivity of Mo and HfO₂ than ICP. We analyzed plasma etching damage causing in etch process to manufacture MIS(Mo/HfO₂/Si) Capacitor - comb pattern with the same area but ... 전체 초록 보기

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