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1. 서론
2. Heterojunction의 특성
3. Heterojunction 반도체쌍의 선택
4. 단결정층 성장법(Epitaxy)
참고문헌
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개정 의장법의 주요내용
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1990 .01
고상 에피택시에 의한 초박막 $CoSi_2$ 형성과 $Si/epi-CoSi_2/Si$(111)의 이중헤테로 에피택셜 성장
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반도체 박막 성장법과 장비기술
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2013 .12
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1991 .03
MOVPE를 이용한 980㎚ 양자우물구조 고출력 레이저 제작
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Silicon Epitaxy
대한전자공학회 단기강좌
1983 .01
Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
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1990 .05
2단계 Epitaxy 성장법을 이용한 Autodoping 의 제어
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국민들의 신뢰 속에서 단결과 협력 모색
원자력산업
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Epitaxy behavior of various inorganics on the surface of graphene and its application for recyclable epitaxy substrate of CVD
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한국통신학회 공개발표회 및 토론회
1997 .01
청색발광소자 개발을 위한 Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 GaN의 성장특성 연구 ( Study on the Growth Characteristics of Thick GaN Using Hydride Vapor Phase Epitaxy for the Development of Blue Emitting Diode )
한국통신학회 학술대회논문집
1997 .01
Silicon Epitaxy에서 일어나는 Pattern Shift에 대한 연구 ( Pattern Shift in Silicon Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1983 .01
CAD 작업자들이여 단결하라!
한국CDE학회지
2000 .12
서독 개정등록 의장법(2)
발명특허
1989 .01
서독 개정등록 의장법(3)
발명특허
1989 .01
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