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MOVPE를 이용한 980㎚ 양자우물구조 고출력 레이저 제작
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
MOVPE 단결정층 성장법 : Ⅱ. MOVPE공정 및 특징
한국표면공학회지
1990 .06
MOVPE 단결정층 성장법 : Ⅲ. 원자층 성장법
한국표면공학회지
1990 .12
선택적 MOVPE 성장을 이용한 레이저 다이오드의 제작 ( Fabrication of 1.55 ㎛ InGaAsP/InP Laser Diode by Selective MOVPE )
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
선택적 MOVPE 성장을 이용한 레이저 다이오드의 제작 ( Fabrication of 1.55 ㎛ InGaAsP / Inp Laser Diode by Selective MOVPE )
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1998 .01
반도체 양자 우물 레이저에서 양자 구조 효과의 연구 ( Effect of Quantum Structure on Semiconductor Quantum Well Laser )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
MOVPE 단결정층 성장법 Ⅳ. MOVPE 및 ALE 반응경로
한국표면공학회지
1991 .03
광섬유 증폭기용 980nm 고출력 레이저의 구조에 따른 특성 비교 ( Comparisons of Characteristics on The Structure of 980nm High Power LAser Diodes for Erbium Doped Fiber Amplifier )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
양자우물 레이저 다이오드의 등가회로 모델 ( An Equivalent Circuit Model for Quantum Well Laser Diodes )
전자공학회논문지-D
1998 .01
High Power 780nm , 830nm , and 860nm , AIGaAs / GaAs Laser Diodes with 100 Mw Output Power
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
10W급 고출력 레이저 다이오드 어레이 제작 ( Fabrication of 10W-High Power Laser Diode Array )
전자공학회논문지-A
1996 .09
1064nm 파이버 레이저의 출력특성 연구
한국생산제조학회 학술발표대회 논문집
2012 .04
NMS의 동향 및 효율적인 망관리를 위한 NMS 적용 사례 분석
한국통신학회 학술대회논문집
2003 .11
MOCVD법에 의한 변형된 다중 양자우물 레이저 다이오드의 제작 및 특성 ( The Fabrication and Characterization of Modified Multi-Quantum Well Laser Diode by MOCVD )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
셀레늄증기 다중광선레이저의 헬륨 순도에 따른 광이득과 출력특성
조명·전기설비학회논문지
2002 .11
InGaN/GaN 양자우물층 위에 제작된 460nm 격자의 GaN 나노박막 광결정 특성
한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회
2006 .01
AlGaAs 양자우물 레이저 다이오드 구조 설계 및 분석
대한전자공학회 학술대회
2013 .07
고출력 CO₂ 레이저
전기의세계
2000 .01
New self-align method for fabrication of 980nm ridge waveguide laser diodes
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1994 .01
New Self-align Method for Fabrication of 980 nm Ridge Waveguide Laser Diodes
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
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