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Abstract
1. 서론
2. 기체상에의 반응물의 열분해
3. 표면에서의 분해경로
4. MOVPE 반응경로 모델
5. ALE반응경로 모델
6. 앞으로 ALE연구를 위한 제안
7. 결론
참고문헌
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1998 .01
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1996 .11
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1993 .01
MOVPE GROWTH OF HgCdTe EPILAYER WITH ARSENIC DOPING
한국표면공학회지
1996 .10
( 100 ) GaAs 기판의 방위 이탈각이 MOVPE 방법으로 성장된 HgCdTe 박막의 특성에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
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1993 .01
1.3μm Spot-Size Converter Integrated Laser Diodes Simply Fabricated by Narrow-Stripe Selective MOVPE
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
적색 반도체 레이저를 위한 GaInP / AlGaInP Heterostructure의 MOVPE성장 ( MOVPE Growth of GaInP / AlGaInP Heterostructure ofr Red Diode Laser )
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1993 .01
Comparisons of Multi Material ALE and Single Material ALE in LS-DYNA for Estimation of Acceleration Response of Free-fall Lifeboat
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