Reduction of As Carryover by Ph3 Overpressure in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

Sang Wan Ryu ,  Weon Guk Jeong ,  Hee Dae Kim 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

MOCVD법을 이용한 Sapphire(${Al}_{2}{O}_{2}$) 기판상의 GaN 선택적 성장특성 연구

이재인 ,  변동진 ,  금동화 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

Growth of Indium Nitride Crystalline on Sapphire Substrate by Microwave-Excited Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

Hyuk Joo Kwon ,  Yong Hyun Lee ,  Osamu Miki 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

고상 에피택시에 의한 초박막 $CoSi_2$ 형성과 $Si/epi-CoSi_2/Si$(111)의 이중헤테로 에피택셜 성장

최치규 ,  강민성 ,  문종 외 3명

한국재료학회지

1998 .01

Plasma Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition of PZT Ferroelectric Thin Films

Won Gyu Lee ,  Seong Il Woo

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

MOVPE 단결정층 성장법 : Ⅲ. 원자층 성장법

정원국

한국표면공학회지

1990 .12

유기금속화학증착법 ( MOCVD : MetalOrganic Chemical Vapor Deposition )

김무성

대한전자공학회 단기강좌

1986 .01

청색발광소자 개발을 위한 Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 GaN의 성장특성 연구 ( Study on the Growth Characteristics of Thick GaN using Hydride Vapor Phase Epitaxy for the Development of Blue Emitting Diode )

이정욱 ,  진경환 ,  백호선 외 4명

한국통신학회 공개발표회 및 토론회

1997 .01

청색발광소자 개발을 위한 Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 GaN의 성장특성 연구 ( Study on the Growth Characteristics of Thick GaN Using Hydride Vapor Phase Epitaxy for the Development of Blue Emitting Diode )

이정옥 ,  진경환 ,  백호선 외 4명

한국통신학회 학술대회논문집

1997 .01

Hydride Vapor Phase Epitaxy 법으로 성장된 Free-Standing GaN 기판의 특성에 관한 연구 ( Characteristics of Free-Standing GaN Substrates grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy )

김화목 ,  최준성 ,  오재응 외 1명

전자공학회논문지-SD

2000 .03

Silicon Epitaxy

송성해

대한전자공학회 단기강좌

1983 .01

Studies on the Formation of Indium Droplets in InGaN Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

H. Pa ,  k ,  Y. Pa 외 4명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 Sapphire기판 상에 GaN후막의 성장특성에 관한 연구

이정욱 ,  유지범 ,  변동진 외 1명

한국재료학회지

1997 .01

Metalorganic Chemical Vapor Deposition of RuO_2 Thin Film using Direct Liquid Injection (DLI) system

이동진 ,  이시우

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

TiN Film Formation using Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition ( LP-MOCVD ) for ULSI Applications

J. S. Kim ,  S. W. Pa ,  k 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Effect of Oxygen on the Characteristics of In0.5 Ga 0.5P grown by Liquid-Phase Epitaxy

권호기 ,  S. D. Kwon ,  김인 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Selective Silicon Epitaxy에 대한 연구 ( Study on the Selective Silicon Epitaxy )

조경익 ,  송성해

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

GaCl₃를 사용한 수직형 Hydride Vapor Phase Epitaxy법에 의한 후막 GaN의 성장특성 연구 ( Growth of Thick GaN Using Vertical Hydride Vapor Phase Epitaxy with GaCl3 )

이정욱 ,  진경환 ,  백호선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Photoluminescence and Stress Relaxtion by Si Doping in GaN Grown With Metalorganic Chemical Vapor Deposition

In Hwan Lee ,  In Hoon Choi ,  Cheul Ro Lee 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Epitaxy behavior of various inorganics on the surface of graphene and its application for recyclable epitaxy substrate of CVD

김대우 ,  김선준 ,  최형욱 외 1명

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

2014 .04