MOVPE를 이용한 980nm 양자우물구조 고출력 레이저 제작 ( Fabrications of 98nm High Power Quantum Well LAser Diodes Using Metal Organic VApor Phase Epitaxy )

이중기 ,  장동훈 ,  조호성 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

MOVPE 단결정층 성장법 : Ⅱ. MOVPE공정 및 특징

정원국

한국표면공학회지

1990 .06

MOVPE 단결정층 성장법 : Ⅲ. 원자층 성장법

정원국

한국표면공학회지

1990 .12

선택적 MOVPE 성장을 이용한 레이저 다이오드의 제작 ( Fabrication of 1.55 ㎛ InGaAsP / Inp Laser Diode by Selective MOVPE )

서준호 ,  권용환 ,  정원국 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

선택적 MOVPE 성장을 이용한 레이저 다이오드의 제작 ( Fabrication of 1.55 ㎛ InGaAsP/InP Laser Diode by Selective MOVPE )

서준호 ,  권용환 ,  정원국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

반도체 양자 우물 레이저에서 양자 구조 효과의 연구 ( Effect of Quantum Structure on Semiconductor Quantum Well Laser )

박성수 ,  안도열 ,  권오대

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

MOVPE 단결정층 성장법 Ⅳ. MOVPE 및 ALE 반응경로

정원국

한국표면공학회지

1991 .03

양자우물 레이저 다이오드의 등가회로 모델 ( An Equivalent Circuit Model for Quantum Well Laser Diodes )

이승우 ,  김대욱 ,  최우영

전자공학회논문지-D

1998 .01

10W급 고출력 레이저 다이오드 어레이 제작 ( Fabrication of 10W-High Power Laser Diode Array )

손낙진 ,  박병훈 ,  안정착 외 2명

전자공학회논문지-A

1996 .09

MOCVD법에 의한 변형된 다중 양자우물 레이저 다이오드의 제작 및 특성 ( The Fabrication and Characterization of Modified Multi-Quantum Well Laser Diode by MOCVD )

김정진 ,  강명구 ,  오환술 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

AlGaAs 양자우물 레이저 다이오드 구조 설계 및 분석

추성중 ,  박문호 ,  박정호

대한전자공학회 학술대회

2013 .07

고출력 CO₂ 레이저

최종운 ,  신동주

전기의세계

2000 .01

조립방법에 따른 고출력 Laser Diode의 특성 ( Characteristics of High Power Laser Diode by Packaging Method )

류연수 ,  김태일

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1993 .01

조립방법에 따른 고출력 Laser Diode의 특성 ( Characteristics of High Power Laser Diode By packaging Method )

류연수 ,  김태일

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

양자우물 레이저 다이오드에서 스트라이프 폭이 문턱전류에 미치는 영향에 관한 연구 ( The Effect of the Stripe Width on Threshold Current in Quantum Well Laser Diodes )

이성재

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

단일양자우물 Laser Diode에서 Stripe 폭이 문턱치에 미치는 영향 ( Effect of Stripe Width on Threshold in Single Quantum Well Laser Diodes )

이성재

한국통신학회논문지

1994 .03

고출력 다이오드 레이저 열처리의 산업 응용

김선원 ,  한상선 ,  양승철

대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집

2010 .11

Quantum Well Layer Growth of below 100 A and Fabrication of Laser Diode Using Liquid Phase Epitaxial Method

Sh Hwan Oh ,  Se Kyung An ,  Tchang Hee Hong

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

양자우물 무질서 공정을 이용한 양자우물 적외선 검출기의 반응대역 변화

신재철 ,  최원준 ,  한일기 외 5명

한국통신학회 기타 간행물

2001 .10

양자우물 레이저 다이오드에서 스트라이프 폭이 문덕전류에 미치는 영향에 관한 연구 ( The Effect of the Stripe Width on Threshold Current in Quantum Well Laser Diodes )

이성재

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1993 .01