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Through the improvement of fabrication equipments and the quality of unit layers we could make high efficiency CIGS-based thin film solar cells with a structure of Al/ZnO/CdS/Cu(InGa)Se₂/Mo/glass. The highest efficiency was 15.4% on device area of 0.21 ㎠. The fill factor, open circuit voltage and short circuit current were 71 %, 600 ㎷ and 36 ㎃/㎠ respectively. The optimum substrate temperature at 2nd/3rd stage was revealed to be 550℃. The XRD results of CIGS films showed a strong (112) preferred orientation and the Raman spectra of CIGS films showed only the Al mode peak at 173㎝-¹. At higher temperatures, the grain size increased together with a reduction in the number of the voids. As the Se evaporation temperature increased, the Cu content of the films decresed. The defect chalcopyrite phase CuIn₃Se5 has been identified as playing an essential role in improving the performance of CIGS-based devices.

목차

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-563-018160004