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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제26권 제12호
발행연도
2013.1
수록면
888 - 893 (6page)

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본 논문은 동시 진공증발법으로 Cu(InGa)Se2 박막을 제작하였으며 각 단계별로 제작된 시편의 표면 및 특성을 분석하였다. 1단계에서 기판온도가 400℃일 때 InGaSe2상이 형성되었으며 기공이 많이 발생되지 않았다. 2단계,3단계에서는 기판온도가 480℃ 이상일 때 입자 크기가 커졌으며 Cu(In0.7Ga0.3)Se2 상이 형성되었다. 열처리 전·후의 XRD분석 결과, 열처리 후에는 Cu2Se상이 없어지고 Cu(ln0.7Ga0.3)Se2 단일상으로 구성되었다. 열처리 전·후의의 흡수 스펙트럼은 변화가 없었다. 즉 흡수 스펙트럼은 열처리와는 무관하다는 것을 알 수가 있었다.
#Co-evaporation method #Cu #In #Ga)Se2 #Vacancy #Absorbency spectra

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