Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CdGa2Se4 단결정 박막 성장과 열처리 효과

홍명석; 홍광준

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자료유형: 학술저널

저자정보: 홍명석 홍광준

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제10호

발행연도: 2007.1

수록면: 829 - 838 (10page)

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The stochiometric mix of evaporating materials for the CdGa2Se4 single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, CdGa2Se4 mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were 630 ℃ and 420 ℃, respectively. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD).The carrier density and mobility of CdGa2Se4 single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are 8.27× 1017 cm-3, 345 cm2/V·s at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the CdGa2Se4 obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, Eg(T) = 2.6400 eV - (7.721 × 10-4 eV/K)T2/(T + 399 K). After the as-grown single crystal CdGa2Se4 thin films were annealed in Cd-, Se-, and Ga -atmospheres, the origin of point defects of single crystal CdGa2Se4 thin films has been investigated by PL at 10 K. The native defects of VCd, VSe, Cdint, and Seint obtained by PL measurements were classified as donors or acceptors. We concluded that the heat-treatment in the Cd-atmosphere converted single crystal CdGa2Se4 thin films to an optical p-type. Also, we confirmed that Ga in CdGa2Se4/GaAs did not form the native defects because Ga in single crystal CdGa2Se4 thin films existed in the form of stable bonds.

#Optimum growth condition #Hall effect #Optical absorption #Photoluminescence #Point defect

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B. D. Cullity / 1985 / Elements of X-ray Diffractions / Addson-Wesley

B. Segall / 1967 / Physics and Chemistry of II-VI Compounds / North- Holland : 340 ~

B. Tell / 1971 / Luminescence and impurity states in CdGa2Se4 / Phys. Rev. 136 (B4) : 2465 ~

Bacewiez. R. / 1979 / Optical absorption and energy band structure of CdGa2Se4 / Phys., Letts. 75A (121) : 1425 ~

David cahen / 1985 / X-ray photoelectronand auger electron spectroscopic analysis of surface treatments and electrochemical decomposition of CdGa2Se4 photoelectrodes / J. App

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