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이용수
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE STRUCTURE AND EXPERIMENT
Ⅲ. MODEL CONSTRUCTION
Ⅳ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅴ. CONCLUSIONS
REFERENCES
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Systematic and Rigorous Extraction Procedure for InP HBT π-type Small-signal Model Parameters
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .08
GaAs HBT 공정 기반의 6 - 7 ㎓ 전력증폭기 설계
대한전자공학회 학술대회
2022 .06
InP-HBT 기반 테라헤르츠 집적회로 기술 동향
전자파기술
2019 .03
고선형 HBT 전력증폭기 설계를 위한 비선형 Gm 및 sweet spot 추출
대한전자공학회 학술대회
2022 .06
높은 선형성과 이득을 갖는 InGaP/GaAs HBT 증폭기 설계
한국전자파학회논문지
2020 .12
Small-signal Modeling of InP HBT based on PSO-ELM Neural Network
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2022 .12
LTE-A 소형셀 기지국용 고선형 HBT 전력증폭기 개발
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
A Wideband H-Band Image Detector Based on SiGe HBT Technology
Journal of Electromagnetic Engineering And Science
2015 .01
SiGe HBT 소자를 이용하여 제작된 94 ㎓ 동작을 위한 믹서 MMIC의 특성
대한전자공학회 학술대회
2020 .11
상호 결합된 차동인덕터를 이용한 GaAs HBT 공정 기반의 1.9 GHz~2.6 GHz 광대역 선형 전력증폭기 설계
한국전자파학회논문지
2021 .07
An Oscillator and a Mixer for 140-㎓ Heterodyne Receiver Front-End based on SiGe HBT Technology
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2015 .02
A Watt-level Broadband Power Amplifier in GaAs HBT Process
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2019 .08
Design of H-Band Oscillator IC in 250-nm InP HBT Process
IDEC Journal of Integrated Circuits and Systems
2024 .01
High Energy Swift Heavy Ion Irradiation and Annealing Effects on DC Electrical Characteristics of 200 GHz SiGe HBTs
Nuclear Engineering and Technology
2019 .01
A Study on HBT MMIC Doherty PA with impedance-inverting Structure
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2015 .06
차세대 광대역 어플리케이션을 위한 SiGe HBT 기반의 광대역 저손실 Double-Pole Double-Throw 스위치
대한전자공학회 학술대회
2023 .06
반응 용기법을 이용한 InP/ZnS 양자점 합성과정에서 InP 코어의 성장기구
한국분말야금학회지
2017 .01
GaAs HBT 공정을 이용한 주파수 분배 방식의 광대역 구동증폭기 설계
한국인터넷방송통신학회 논문지
2019 .01
A More Accurate Analytical DC Compact Modeling of Tunneling Field-Effect Transistor for SPICE Simulation
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2019 .12
Macro-modeling of P-type Feedback Field-Effect Transistor
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2022 .01
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