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학술저널
저자정보
Lin Cheng (Xidian University) Hongliang Lu (Xidian University) Yuming Zhang (Xidian University) Yimen Zhang (Xidian University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.22 No.2
발행연도
2022.4
수록면
84 - 92 (9page)
DOI
10.5573/JSTS.2022.22.2.84

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In this paper, a compact macromodeling method for characterizing the large-signal characteristics of heterojunction bipolar transistors (HBTs) is proposed and successfully applied to describe the DC and AC performance of InP and GaAs HBT devices. Using the Symbolically-defined Device (SDD) technology, an empirical macro circuit preserving the Spice Gummel-Poon (SGP) intrinsic network and a simplified thermal network is established. The empirical current and charge functions are embedded in the SDD macro circuit network module. Compared with other large-signal models, the proposed model description and the relevant parameter extraction are relatively simpler, and at the same time, this method can maintain high fitting accuracy. To assess the validity and the accuracy of the proposed model, the compact large-signal model is constructed for 1 ㎛ InP HBT and 1 ㎛ GaAs HBT. Based on the complete extraction of the model parameters, excellent consistency is obtained between the measured and modeled results.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE STRUCTURE AND EXPERIMENT
Ⅲ. MODEL CONSTRUCTION
Ⅳ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅴ. CONCLUSIONS
REFERENCES

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