높은 선형성과 이득을 갖는 InGaP/GaAs HBT 증폭기 설계

어경준; 박승준; 이문규

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자료유형: 학술저널

저자정보: 어경준 (SJM Prewell) 박승준 (서울시립대학교) 이문규 (서울시립대학교)

저널정보: 한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제31권 제12호(통권 제283호)

발행연도: 2020.12

수록면: 1,053 - 1,058 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2020

높은 선형성과 이득을 갖는 InGaP/GaAs HBT 증폭기 설계

어경준 , 박승준 , 이문규 한국전자파학회논문지 2020.12 학술저널

2019

선형성을 개선한 InGaP HBT 전력증폭기 설계

어경준 전자전기컴퓨터공학과 2019.01 학위논문

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본 논문에서는 높은 선형성과 이득을 갖는 변형된 달링톤 캐스코드 증폭기 구조를 제안하고 설계하였다. 제안한 구조는 달링턴 캐스코드 (Darlington cascode) 구조를 사용하여 이득을 최대화하였고, 다이오드 회로로 선형성을 개선하였다. 설계 회로는 InGaP/GaAs HBT MMIC 공정을 이용하여 제작하였다. 측정 결과, 제안한 증폭기는 5G 이동통신 대역으로 지정된 3.5 GHz에서 18.9 dB의 소신호 이득, 13.7 dBm의 P<SUB>1dB</SUB>, 29.1 dBm의 OIP₃ 특성을 보였다. 제작한 증폭기는 3.3 V 공급 전원에서 161.7 mW의 DC 전력을 소모하였다.

#Darlington Cascode #Diode Linearizer #Linearity #MMIC #InGap/GaAs HBT

참고문헌 (6)

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D. Evans / 2011 / CISCO White Paper / CISCO

B. L. Nelson / 1989 / High-linearity, low DC power GaAs HBT broadband amplifier to 11 GHz / IEEE Symposium on Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits :15~18

M. E. Kim / 1989 / GaAs heterojunction bipolar transistor device and IC technology for high-performance analog and microwave applicatons / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 37(9):1286~1303

K. W. Kobayashi / 2005 / Improved effeciency, IP3-bandwidth and robustness of a microwave Darlington amplifier using 0.5 μm ED PHEMT and a new circuit topology / IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium :4

K. W. Kobayashi / 2006 / A novel E-mode PHEMT linearized Darlington cascode amplifier / 2006 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium :153~156

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