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- 자료유형
- 학술대회자료
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- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 551 - 552 (2page)
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In this study, we demonstrate the effect of the GaAs buffer thickness on InAs quantum dot light emitting diodes (LEDs) grown on Si. The thicker GaAs buffer was, the stronger photoluminescence (PL) intensity was observed due to lower threading dislocation. Atomic force microscopy (AFM) ... 전체 초록 보기
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