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자료유형
학술저널
저자정보
조승찬 (부산대학교 재료공학부) 전형탁 (한양대학교 신소재공학부) 김양도 (부산대학교 재료공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제17권 제5호
발행연도
2007.1
수록면
263 - 267 (5page)

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Hafnium oxide $(HfO_2)$ films were deposited on Si(100) substrates by remote plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) method at $250^{\circ}C$ using TEMAH [tetrakis(ethylmethylamino)hafnium] and $O_2$ plasma. $(HfO_2)$ films showed a relatively low carbon contamination of about 3 at %. As-deposited and annealed $(HfO_2)$ films showed amorphous and randomly oriented polycrystalline structure. respectively. The interfacial layer of $(HfO_2)$ films deposited using remote PEALD was Hf silicate and its thickness increased with increasing annealing temperature. The hysteresis of $(HfO_2)$ films became lower and the flat band voltages shifted towards the positive direction after annealing. Post-annealing process significantly changed the physical, chemical, and electrical properties of $(HfO_2)$ films. $(HfO_2)$ films deposited by remote PEALD using TEMAH and $O_2$ plasma showed generally improved film qualities compare to those of the films deposited by conventional ALD.
#Remote PEALD #$ #HfO_2)$ #Gate Dielectric #TEMAH

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