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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제9권 제6호
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 247 - 250 (4page)
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Hafnium dioxide (HfO₂) thin film as a gate dielectric for organic thin film transistors is prepared by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD). Mostly crystalline of HfO₂ film can be obtained with oxygen plasma and with water at relatively low temperature of 200 ˚C. HfO₂ was deposited as a uniform rate of 1.2 A˚/cycle. The pentacene TFT was prepared by thermal evaporation method with hafnium dioxide as a gate dielectric. The electrical properties of the OTFT were characterized.
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J. Jang / 2006 / Electrical and chemical stability of organic thin-film transistor for cisplay applications / SID Digest Tech. Papers 37 : 108 ~
M. Balog / 1977 / Chemical vapor deposition and characterization of HfO₂ films from organo-hafnium compounds / Thin Solid Film 1 : 247 ~
S.F. Nelson / 1998 / Temperature-independent transport in high-mobility pentacene transistors / Appl. Phys. Lett 72 : 1854 ~
Sungwoo Choi / 2004 / Plasma-Enhanced Atomic-Layer Deposition of a HfO2 Gate Dielectric / Journal of the Korean Physical Society 44 (1) : 35 ~ 38
T. Jung / 2005 / Moisture induced surface polarization in a poly(4-vinyl phenol) dielectric in an organic thin-film transistor / Appl. Phys. Lett 87 : 182109 ~
M. Balog / 1977 / Chemical vapor deposition and characterization of HfO₂ films from organo-hafnium compounds / Thin Solid Film 1 : 247 ~
S.F. Nelson / 1998 / Temperature-independent transport in high-mobility pentacene transistors / Appl. Phys. Lett 72 : 1854 ~
Sungwoo Choi / 2004 / Plasma-Enhanced Atomic-Layer Deposition of a HfO2 Gate Dielectric / Journal of the Korean Physical Society 44 (1) : 35 ~ 38
T. Jung / 2005 / Moisture induced surface polarization in a poly(4-vinyl phenol) dielectric in an organic thin-film transistor / Appl. Phys. Lett 87 : 182109 ~
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