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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
석종원 (중앙대학교 기계공학부) 오승희 (중앙대학교 기계공학부 대학원)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제6권 제3호
발행연도
2007.1
수록면
1 - 6 (6page)

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The integrated thermal-chemical-mechanical (TCM) material removal model presented in the companion paper is dynamically simulated in this work. The model is applied to a Cu CMP process for the simulation and the results of the three individual ingredients composing the model are presented separately first. These results are then incorporated to calculate the total material removal rate (MRR) of the Cu CMP. It is shown that the non-linear trend of MRR with respect to the applied mechanical power (i.e., non-Prestonian behavior), which is not well explained with the models established in principle on conventional contact mechanics, may be due to the chemical reaction(s) varying non-linearly with the temperature in the wafer.
#Chemical-Mechanical Polishing #Thermal-Chemical-Mechanical Modeling #Dynamic Simulation #Non-Prestonian Behavior

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