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저자정보
Gangopadhyay, Utpal (New materials Lab.[BK 21 Lab.] School of Information and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) Kim, Do-Young (New materials Lab.[BK 21 Lab.] School of Information and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) Parm, Igor Oskarovich. (New materials Lab.[BK 21 Lab.] School of Information and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) Chakrabarty, Kaustuv (New materials Lab.[BK 21 Lab.] School of Information and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) Kim, Chi-Hyung (New materials Lab.[BK 21 Lab.] School of Information and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) Shim, Myung-Suk (New materials Lab.[BK 21 Lab.] School of Information and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) Yi, Jun-Sin (New materials Lab.[BK 21 Lab.] School of Information and Computer Engineering, Sungkyunkwan University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2003.1
수록면
1,127 - 1,130 (4page)

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The characteristics of silicon nitride films deposited in a planar coil reactor using a simple high-density inductively coupled plasma chemical vapor deposition technique have been investigated. The process gases used during silicon nitride deposition cycle were pure nitrogen and a mixture of silane and helium. It has been pointed out that the strong H-atom released from the growing SiN film and Si-N bond healing are responsible for the improved electrical and passivation properties of SiN.

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